Azərbaycan Pedaqoji İnstitutu

Renium və xalkogenin birgə elektrolitik çökmə prosesinin öyrənilməsi nəticəsində yarımkeçirici xassəli renium xalkogenidlərinin  Re-X(X=S, Se, Te) elektrokimyəvi üsulla alınması üçün qələvi və turşu elektrolitlərindən komponentlərin nisbətlərinin geniş diapazonunda  elektrolit və optimal elektroliz şəraiti seçilmişdir.   Nazik təbəqəli renium xalkogenidləri əsasında alınmış diod quruluşunun statik və dinamik volt-amper xarakteristikaları tədqiq edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki,  diod quruluşu  çevrilmə və yaddaş effektinə malikdir. Bu cür xassəli  cihazlar yarımkeçirici çeviricilərin hazırlanmasında istifadə edilə bilər. İlk dəfə olaraq nazik təbəqəli renium xalkogenidlərinin fotoelektrokimyəvi aktivliyi tədqiq edilmiş və bu təbəqələrin günəş enerjisinin kimyəvi enerjiyə çevrilməsində fotoelektrod materialı kimi istifadə  olunması tövsiyə edilmişdir.

1. Салахова Э.А., Новрузова Ф.С., Меджидзаде В.А., Калантарова П.Э. Полупровод-никовые свойства тонких покрытий халькогенидов рения., Изв. ВУЗов. Химия и химическая технология, 2009, №8, т.52, с.117-119.

2. Салахова Э.А., В.А.Меджидзаде. Электрохимическое получение тонких покрытий сплавов рений -теллур из хлоридно-боратного электролита. Журн. Электрохимия, 2011. т.47, №8, стр. 938-943.

3. E.A.Salahova, V.A.Medjidzade and co on.  The electrolytic subsidence of rhenium from acid  electrolytes. Седьмой международной Симпозиум "Технетий и рений, изучение свойств и применение". Москва, 2011, стр.112.  

AMEA-nın Akademik M.F.Nağıyev adına Kimya Problemləri İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., H.Cavid pr., 29