Moskva Dövlət Universiteti

N.A.Abdullayevin elmi fəalliyyətinin birinci mərhələsi aşağı temperaturlarda   (1,8-300К) güclü anisotrop kristallarda deformasiya effektlərinin tədqiqi ilə əlaqədar olmuşdur:

• güclü anisotrop kristalların (laylı və zəncirvarı) istilikdən genişlənməsi;

• güclü anisotrop kristalların elektron spektrinə biroxlu deformasiyanın təsiri;

• güclü anisotrop kristalların elektron və fonon spektrlərinin temperaturadan asılı olaraq dəyişməsi.

N.A.Abdullayev GaSe, InSe  laylı yarımkeçiricilərdə lay müstəvilərində mənfi istilikdən genişlənmə aşkar etmiş, "membran" effekti adlanan ideyanı ilk dəfə tətbiq edərək, klassik laylı kristalda – qrafitdə lay müstəvilərində mənfi istilikdən genişlənmənin izahını vermişdir. Daha sonra, fonon qarşırıqlı təsirində anqarmonizmi tədqiq edərək, onun tərəfindən laylı GaS  və  GaSe –nin istilikkeçirməsi öyrənilmiş, qrafitin istilikkeçirməsinin temperaturadan asılı olaraq artması intervalında "istilik anomaliyasının" izahı verilmiş, struktur faza keçidlərində laylı  TlGaSe2 və  TlInS2  kristalların istilikdən genişlənməsinin xüsusiyyətləri müəyyən edilmişdir.

Eyni zamanda N.A.Abdullayevi aşağı temperaturlarda  güclü anisotrop kristallarda elektrik yükün daşınması prosesləri, elektron spektrlərində lokallaşma effektləri maraqlandırır. Bunun üçün güclü anisotrop kristallarda kinetik və qalvanomaqnit  (о cümlədən kvant) effektləri tədqiq edilmişdir.