Germanium-silisium kristallarında geniş sayda dərin və dayaz aşqar atomlarının əsas enerji hallarının spektri təyin edilib.

Geniş temperatur intervalında Ge-Si sistemində sərbəst elektrik yük daşıyıcılarının səpilmə mexanizmləri və qanunauyğunluqları öyrənilib.

Aşqar atomlarını əhatə edən nanohəcmlər tərkibinin qeyri identivliyi ilə əlaqəli bərk məhlul kristallarında yaranan elektron xassələrinin xüsusiyyətləri aşkar edilib və araşdırılıb.

Göstərilib ki, almazabənzər A³B⁵ kristallarında ultrakvant rejimdə, elektronların aşqar ionlarından səpilməsi üstünlük təşkil edəndə, matrisada böyük neqativ uzununa maqnit müqaviməti müşaidə edilir.

Yarımkeçirici bərk məhlul sistemlərinin verilmiş tərkibdə alınması, onların müztəlif aşqar elementlərlə leqinə edilmə texnologiyaları və bu məsələlərin fiziki-riyazi əsasları geniş inkişaf etdirilib.

1. Deep Impurity Levels in Ge-Si Alloys - Solid State Communication, 111 (1999), pp. 675-679

2. Distribution of components in Ge-Si bulk single crystals grown under the continuous feeding of the melt with the second component - Journal of Crystal Growth, 226 (2001), pp. 437-442

3. Distribution of components in Ge-Si bulk crystals grown by the zone leveling method - Chinese Journal of Physics, 41(2003), pp.79-84

4. Growth of Homogeneous Single Crystals of GeSi Solid Solutions Using a Ge seed by the Modified Bridgman Method - Crystallography Reports, 50, Suppl. 1 (2005), pp. S149-151

5. Segregation of Aluminum and Indium Impurities in Ge-Si Crystals - Inorganic Materials, 43 (2007), pp. 3-7

AMEA Fizika İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., H.Cavid pr., 33