S²₄,D¹¹_2d fəza qruplarında kristallaşan A²B³₂C⁶₄ birləşmələrinin (CdGa₂S₄, CdGa₂Se₄, ZnGa₂Se₄, Cdİn₂Se₄ və onların əsasında bərk məhlullar) elektron və fonon spektrlərinin formalaşma xüsusiyyətləri müəyyən olunmuşdur. Göstərtlmişdir ki, A²B³₂C⁶₄ (f.qr.S²₄) birləşmələrinin energetik spektrlərinin xüsusiyyətləri deformasiyası nəzərə alınmaqla sfalerit quruluşlu birləşmələrin energetik spektrlərinin xüsusiyyətləri ilə müəyyən olunur. Brüllien zonasının yüksək simmetriyalı nöqtələrtndə  valent zonasının tavanı və keçirici zonanın dibini formalaşdıram halların simmetriya və təbiəti müəyyən olunmuşdur. Kation altqəfəsində iki tip atomun psevdopotensiallarının və valent zonasının quruluşuna qəfəs deformasiyasının təsiri təhlil edilmişdir. Valent zonasının xarakteristik parametrləri (spin-orbital və kristallik haçalanma) təyin edilmişdir. Göstərilmişdir ki, valent zonasının formalaşmasında tavanının üçvalentli kationların p-halları əsas rol oynayır.
Brüllien zonasının mərkəzində Г(000) fonon spektrinin mənzərəsi qurulmuşdur. A²B³₂C⁶₄ (f.qr.S²₄) birləşmələrinin qəfəs dinasmikası qüvvə sabitləri modeli əsasında təsvir olunmuşdur və atomlararası  rabitələrin  təbiəti müzakirə olunmuşdur (araşdırılmışdır).
A²B³₂C⁶₄ (f.qr.S²₄) qrupundan bəzi birləşmələrdə hidrostatik təzyiqin fonon spektrlərinə təsiri tədqiq edilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, aşağı tezlikdə fononlar (200 sm^-1-dən aşağı) praktok olaraq təzyiqdən asılı deyil. Təzyiq altında optik fononları təsvir etmək üçün Xarrison-Kittinq modelində Qrünayzen parametri və həcmi elastiklik modeli hesablanmışdır. Dinamik matrisin həllərinin analizi göstərdi ki, aşağıtezlikli fononlar isə təzyiqin təsiri ilə rabitənin uzunluğunun dəyişməsi ilə bağlıdır.
Göstərilən birləşmələrdə qeyri-tarazlıq (fotokeçiricilik, fötölümenesensiya, termostimulyasiya keçiriciliyi) tədqiq edilmişdir. Lokal haların spektri, generasiya-rekombinasiya prosesləri mexanizmi müəyyən edilmişdir.

1. Т.Г.Керимова, "Особенности формирования электронных спектров сложных алмазоподобных халькогенидов A²B³₂C⁶₄", Изв. АН СССР, сер."Неорганические материалы", 1989, т.25, №11, стр. 1874-1879

2. Т.Г.Керимова, А.Ш.Хидиров, Э.Ю.Салаев, В.Я.Штейншрайбер, "Динамика решетки CdGa₂S₄ и CdGa₂Se₄", Физика твердого тела, 1985, т.27, в.5, стр.1570-1572

3. Т.Г.Керимова, Ш.С.Мамедов, И.А.Мамедова, "Деформационные потенциалы экстремумов зон в Г(000) CdGa₂S₄", ФТП, т.32, №2, стр.148-150, 1998

4. Т.Г.Керимова, А.Г.Султанова, "Получение, оптическое поглащение и термостимулированная проводимость ZnGa₂Se₄", Изв. РАН сер."Неорганические материалы", 2002, т.38, №9, стр1-3

5. T.Mitani, S.Onari, K.Allakhverdieyev, F.Gashimzade, K.Matsuishi, T.G.Kerimova  "Raman scattering in CdGa₂S₄ under pressure". Phys. stat. sol. (b) 2003, v.235, №2, p.321-325

AMEA-nın Rəyasət Heyətinin Fəxri Fərmanı - 2005