|
Ana səhifə
Qacar Çingiz Oveys oğlu
Elmi işlər üzrə direktoru müavini, AMEA-nın müxbir üzvü
Kamil Bəxtiyar oğlu Qurbanov
Zaur İsmayıl oğlu
Süleymanov
Bərk
cisim fizikası, optoelektronikanın fiziki
əsasları və texnikası;
Nüvə fizikası;
Energetikanın fiziki-texniki və
texnoloji əsaslarının inkişafı.
AIV, AIIIBV,
AV-BV,
metal xalkogenid və s. geniş yarımkeçiricilər
sırasının kinetik, optik xassələri və quruluş çevrilmələri tədqiq olunub və
yeni qalvanomaqnit, termomaqnit və tenzometrik çeviricilər yaradılmışdır.
Fizika və Riyaziyyat İnstitutu SSRİ EA Zaqafqaziya filialının
Azərbaycan bölməsində 1932-ci ildən
fəaliyyət göstərən Fizika Sektoru əsasında
1945-ci ildə yaradılmışdır. 1959-cu ildə isə Fizika və Riyaziyyat
İnstitutu əsasında müstəqil
Fizika İnstitutu, həmçinin Mexanika
və Riyaziyyat İnstitutu
təşkil edilmişdir.
853
Yarımkeçiricilərldə köçürmə
hadisələri laboratoriyası Darzolaqlı yarımkeçiricilər və yuxarı temperaturlu
ifratkeçiricilər Yarımkeçiricilərdə
nanostrukturlar laboratoriyası Quruluş
və quruluş-çevrilmələri
laboratoriyası Bərk cisim nəzəriyyəsi
laboratoriyası Bərk cisimlərdə rezonans
hadisələri laboratoriyası Qeyri-kristallik
yarımkeçiricilərin fizikası laboratoriyası Optoelektronika laboratoriyası Heteroquruluşlar
laboratoriyası Elektronoqrafiya
laboratoriyası Diffuziya hadisələri laboratoriyası Elektron-optik çeviriciləri
laboratoriyası Yarımkeçiricilərdə tarazlıqda
olmayan elektron proseslərinin fizikası
laboratoriyası Yarımkeçiricilərin elektron
spektroskopiyası laboratoriyası Elektrofotoqrafiya
laboratoriyası Yarımkeçirici kvant
elektronikası laboratoriyası Molekulyar spektraskopiya
laboratoriyası Bərk cisim elektronikası
laboratoriyası İnfraqırmızı fotoelektronika və
plazma hadisələri laboratoriyası Səthin diaqnostikası, epitaksial
və metal-keramik strukturlar laboratoriyası Kristallofizika
laboratoriyası Materialşünaslıq
laboratoriyası Yarımkecirici strukturların optik
və fotoelektrik diaqnostika laboratoriyası Nüvə tədqiqatları
laboratoriyası Yüksək enerjilər fizikası
laboratoriyası Kosmik şüalar mənbələri fizikası
laboratoriyası
Fiziki-kimyəvi proseslərin termodinamikası laboratoriyası Yüksək gərginliklər
fizikası və texnikası laboratoriyası Kompozisiyalı
quruluşlar fizikası laboratoriyası Ekoloji biofizika laboratoriyası İxtisaslaşdırılmış qeyri-standart nəzarət
və diaqnostika sistemləri laboratoriyası İnformasiya qəbulunun, saxlanmasının və işlənməsinin intellektual sistemi
şöbəsi İntellektual
mülkiyyətin tətbiqi şöbəsi Fiziki-texniki proseslərin,
terminlərin ensiklopedik tədqiqi, tərtibi və mətnşünaslıq şöbəsi Nanoölçülü materialların və
strukturlarının texnologiyası
Dinamik sistemlərdə xaos şöbəsi
Struktur
İnstitut
və təşkilatlar
Fizika
İnstitutu
www.elm.az/physics
![]()
Ünvan:
AZ1143,
Azərbaycan Respublikası, Bakı
ş., H.Cavid pr., 33

![]()
Tel.:
(994 12) 4394151
![]()
Faks:
(994 12) 4395961
![]()
Email:
azhep@physics.ab.az
![]()
Direktor
vəzifəsini müvəqqəti icra edən:
Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru,
akademik
Tel.: (994 12) 4387646 Faks: (994 12) 4393116 Email:
director@physics.ab.az
![]()
Direktor müavinləri:
Elmi işlər üzrə direktor müavini, fizika-riyaziyyat elmləri
namizədi
Tel.: (994 12) 4394161
![]()
Elmi katib:
Fizika-riyaziyyat elmləri
namizədi
Tel.: (994 12) 4397423
![]()
Təşkilatın əsas
fəaliyyət istiqamətləri:
![]()
Son beş ildə
təşkilatın əldə etdiyi əsas elmi nəticələr:
AIIIBVI
və A2B6
yarımkeçirici və yarımmetal
sferik kvant nöqtələri üçün elektronların, yüngül və ağır deşiklərin
enerjisinin kvant nöqtəsinin radiusundan asılılığı təyin edilmişdir.
Se əsasında kristallaşmaya davamlı fotohəssas şüşəvari yarımkeçirici
halkoqen
sistemin (Se-As, Se-Te) nümunələrinin alınma texnologiyası işlənib
hazırlanmışdır.
TlİnS2 kristalında yaddaş effektinin
mövcudluğu müəyyən edilmişdir.
Yeksək meqavimətli və enli zolaqlı CaGa2S4, CdGa2S4
və digər halkogenid
yarımkeçiricilərin fizikası, texnologiyası və
texnikası üzrə tədqiqatlar bu maddələrin işıq mənbələri, işıq
qəbulediciləri, qeyri-xətti optik çeviricilər, elektrofotoqrafik təbəqələr
və s. yaratmaq üçün perspektivli olmalari müəyyən edilmişdir.
Yeni termoemission qalvanomaqnit effektləri aşkar
edilmişdir, spektrin 0,45-14 Mkm oblastı üçün termoelektrik soyuduculu
radiasiyaya davamlı fotoqəbuledicilərin, yüksək effektivli termo və
maqnitotermoelektrik materialları və soyuducularının, ionlarin
çıxarılmasının yeni plazmooptik sisteminin, opto-elektron cihazlarının tam
diaqnostikası üçün yeni zədəsiz metodun yaradılmasının fiziki əsasları
işlənmiş, onların təcrübi nümunələri hazırlanıb sınaqdan keçirilmişdir.
Silisium təbəqəsinin üzərində iki laylı örtük yaratdıqda (ZnS + Nd2O3)
fotocərəyanın 60% və faydalı iş əmsalının 15% qədər artması müşahidə olunur.
Metal -məsaməli silisium strukturu əsasında yüksək tezlikli nəmişlik,
hidrogen, karbon oksidini təyin edən detektorlar və mini batareyalar
düzəldilmişdir.
Akustooptik ləngitmə xətləri, akustooptik ponaram qəbuledicisi və
akustooptik razılaşdırılmış süzgəc işlənib hazırlanmışdır.
Yüksək gərginlikli qeyri-xətli elektrik şəbəkələrində yaranan ifrat
gərginliklərin kumulyativ yüksəldilməsinin aradan qaldırılmasına aid silsilə
işlər yerinə yetirilmişdir.
Elektrik təsirlərinə əsaslanan üsullar tədbiq etməklə yüksək elektrofiziki
xüsusiyyətlərə malik dielektrik materiallar hazırlanıb.
Kompozitlər əsasında müxtəlif məqsədli, akustik, optoakustik, fotoelektrik
və akustoelektron çeviricilər işlənib hazırlanmışdır.
"Atlas" qurğusunun Endcap kalorimetrik test seansı keçirilib müxtəlif
tərkibli kvark hissəciklərin əmələgəlmə proseslərinin monte-karbonun
hesablari aparılmışdır.
![]()
Təşkilatın tarixi
haqqında qısa məlumat:
![]()
Təşkilatın
işçilərinin ümumi sayı:
![]()
Təşkilatın struktur
bölmələri:
![]()
| Rəyasət
heyəti | Rəyasət
heyətinin strukturu | Bölmələr | İnstitut və Təşkilatlar
|
| AMEA-nın
prezidentləri | AMEA-nın
həqiqi üzvləri | AMEA-nın
müxbir üzvləri |