|
|
Tel.: | (99412) 4324704 |
|
|
Email: | |
|
|
Struktur bölmənin rəhbəri: |
Hidayət Rəhim oğlu Nuriyev |
|
|
İşçilərin ümumi sayı: | 10 |
|
|
Struktur bölmənin əsas fəaliyyət istiqamətləri: | AIVBVI tipli yarımkeçirici birləşmələrin və bərk məhlulların epitaksial təbəqələrinin müxtəlif altlıqlar üzərində böyümə xüsusiyyətlərinin kompleks tədqiqi, lazımi elektrofiziki və fotoelektrik xassələrə malik mükəmməl kristallik quruluşlu təbəqələrin alınması, onların əsasında fotohəssas p-n homo-və heterostrukturların yaradılması və infraqırmızı şüalanma fotoqəbuledicilərinin hazırlanması. |
|
|
Struktur bölmənin əsas elmi nəticələri: | Müxtəlif altlıqlar üzərində böyüdülmüş AIVBVI tipli yarımkeçiricilərin eputaksial təbəqələrinin kristallik quruluşu, elektrofiziki və fotoelektrik xassələri arasında korrelyasiya yaradılmışdır. Vahid texnoloji rejimdə ilk dəfə olaraq fotohəssas PbS/PbS; PbSe/PbSe; PbTe/PbTe homokeçidləri və izoperiodik Pb1-xSnxTe/PbTe1-ySey; Pb1-xSnxSe/Pb1Se1-ySy heterokeçidləri yaradılmış və infraqırmızı şüalanma fotoqəbulediciləri hazırlanmışdır. |

AMEA İnformasiya Texnologiyaları İnstitutu, 1995-2011