Разработка методов увеличения радиационностойкости полупроводниковых материалов; разработка научных основ радиационностойких приборов.

Были получены и исследованы слоистые монокристалла GaS, GaSe, GaTe и InSe на основе бинарных соединений А³B⁶. На основе полученных результатов были изучены механизмы образования и отжига радиационных дефектов, а также разработаны методы повышения радиационностойкости в слоистых полупроводниках.

       1. Показано, что  при легировании монокристалла  GaS  бором 10^-4 at %  атом бора     заполняя  вакансии  галлия уменьшает электропроводность кристалла , а при легировании бором 10² at % происходит межслоевое накопление, приводящее к росту проводимости.

       2. При облучении монокристаллов   GaS<B> гамма- квантами, в результате перезаполнения примесных уровней в запрещенной зоне время жизни основных носителей и концентрация  фоточувствительных центров увеличиваются , что приводит к росту фоточувствительности .

       3. Показано, что внедрение 10^-4  at % атомов бора в  монокристаллы GaS перпендикулярно слоям (в направлении  «с» оси ) вследствие усиления ионно-ковалентной связи растет устойчивость кристалла  к гамма излучению.

       4. Исследование  электрических и фотоэлектрических свойств в монокристаллах  GaS,  GaSe,  İnSe легированных  бором  показало, что  открываются широкие возможности в создании  приемников  ионизирующих излучений, имеющих высокую  фоточувствительность  в    спектральной области  0,3 – 2 мкм.